湖南三安SiC SBD出货总量突破2亿颗

湖南三安在日本国际电子展NEPCON JAPAN 2024展会上展示了其先进的碳化硅（SiC）半导体产品，包括SiC晶碇、衬底、外延，以及车规级SiC二极管、MOSFET等。SiC系列产品主要面向工业和车规级应用，其中SiC SBD已累计出货超过2亿颗，广泛应用于光伏逆变器、充电桩、电源和新能源汽车等领域。SiC MOSFET产品也在新能源汽车主驱和光伏领域取得重要进展。

湖南三安半导体基地项目致力于建设自主知识产权的第三代半导体全产业链生产与研发基地，项目投产后将广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和5G通讯等领域。该项目已进入装修后期阶段，2024年一季度预计贯通。湖南三安在关注SiC产能的同时，也在瞄准海外市场，与Luminus Devices签署合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道。

这一系列的进展显示了湖南三安在SiC半导体领域的强大实力和发展潜力。SiC技术在功率半导体应用中具有重要地位，特别是在新能源汽车、光伏和电源领域。湖南三安通过技术创新和国际合作，不仅提升了自身产品竞争力，也有望在全球市场占据更有利的地位。