天科合达SiC晶片二期扩产项目明年投产

天科合达的SiC晶片二期扩产项目已于12月28日全面封顶。该项目由江苏天科合达半导体有限公司投资建设，总投资达8.3亿，预计在2024年6月竣工。该项目将年产16万片SiC衬底，满足国家重大战略需求，优化国内SiC晶片供应链，提升供应能力。天科合达是国内首家专业从事第三代半导体SiC衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业，其导电型晶片市场占有率在全球、全国处于领先地位。

项目承建方中建一局一公司负责人仇宏海表示，历时143天，1号、2号厂房主体工程已全面封顶。江苏天科合达二期扩产项目投产后，将进一步壮大徐州SiC产业规模，助推徐州成为淮海经济区乃至全国的第三代半导体产业高地。预计项目将在明年下半年投产（试产）。