国盛宣布成功研发硅基氮化镓外延片

中国电科半导体材料有限公司旗下国盛公司南京外延材料产业基地宣布成功研发第一枚硅基氮化镓外延片，标志着公司多元化布局迈入新阶段，正式跻身第三代半导体产业发展快车道。

在全球半导体产业关键时期，南京外延材料产业基地迅速抢占“开道超车”机遇期。江宁开发区已吸引数十家关联企业落地，今年产值将实现两位数增长，初步建成了完整的产业链条。

第三代半导体材料的重要性在产业迭代期愈发凸显。与第一、二代相比，第三代半导体材料具备更高的耐高温、耐高压、大电流承受等优势，被认为是未来电子产业的基石。硅基氮化镓外延片的成功研发使中国制造业在这一领域取得深远的意义，为电力电子器件需求提供了创新解决方案。

国盛公司的突破成果不仅体现了产业“弯道超车”的实现可能，也印证了中国在第三代半导体领域迎来的机遇期。为应对挑战，科技部和财政部于2021年批复建设“国家第三代半导体技术创新中心”，南京中心落户江宁开发区，致力于关键核心技术和重大应用方向的突破。

南京中心副主任杨勇表示，下一步将加速进行第三代半导体元器件的技术研发和产品研制，打通前沿开发到大规模应用的壁垒，确保国产元器件的自主保障。

江宁开发区作为南京市集成电路产业的重要组成部分，已初步建成第三代半导体产业链。一系列龙头企业的投产和项目启动，使产业板块更加完备。南京将继续引进产业项目，推动半导体材料的国产化替代进程，为构建现代化产业体系贡献科技力量。