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来源:ictimes发布时间:2023-12-271266浏览
询问 AIictimes消息,12月22日,京东方华灿近发布公告称,公司全资子公司广东华灿和浙江华灿拟使用募集资金向关联方北方华创购买生产设备,主要用于Micro LED晶圆制造和封装测试基地项目以及GaN基电力电子器件的研发与制造项目。
Micro LED作为下一代显示技术,具有高亮度、高对比度、低功耗等优势,被广泛应用于超大和超小尺寸高清显示、AR/VR头戴式显示设备和可穿戴设备等领域。京东方华灿此次投入巨资建设Micro LED晶圆制造和封装测试基地,充分显示了其在Micro LED领域的雄心壮志。
据悉,该项目总投资50亿元,达产后年产值可达50亿元。建成后将形成年产Micro LED晶圆5.88万片组、Micro LED像素器件45,000KK颗的产能。这一规模将使京东方华灿在Micro LED领域占据重要地位,进一步巩固其在全球显示市场的领先地位。
与此同时,京东方华灿还布局了GaN电力电子器件领域。GaN作为一种高性能的第三代半导体材料,具有广泛的应用前景,尤其在通信、雷达、消费电子等领域。据TrendForce集邦咨询研究预测,全球GaN功率市场将以65%的复合年增长率持续增长,至2026年将达到13.3亿美元。
京东方华灿在GaN电力电子器件领域的布局已经取得了重要进展。公司已完成650V GaN on Si for D-mode&E-mode的外延片出样,650V GaN器件产品也已完成小批量出样和测试。这些产品主要适用于高频AC/DC PD 65W快充应用,为移动消费电子终端提供快速充电解决方案。
京东方华灿成为京东方控股子公司后,双方在Micro LED产业链上的协同效应将进一步凸显。这种协同不仅有助于提升京东方华灿在Micro LED领域的竞争力,也有助于加速公司在全球显示市场的扩张。
此外,随着Micro LED和GaN电力电子器件业务的快速发展,京东方华灿有望在未来几年实现业绩的快速增长。这将有助于公司扭亏为盈,并为股东创造更大的价值。
京东方华灿加大在Micro LED及GaN电力电子器件领域的布局,是公司面向未来市场的重要战略决策。这一布局将使公司在显示及半导体行业保持领先地位,并为其未来的增长奠定坚实基础。
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