国盛公司南京外延材料产业基地项目取得重大突破

ictimes消息，近日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目迎来历史性时刻。第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延片正式下线，标志着该项目在第三代半导体外延领域取得重大突破。

GaN on Si材料具有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，制成的器件还有一定的成本优势，具有较强的竞争力。国盛公司制备的GaN on Si外延片，可以满足电力电子用GaN器件的需求。这一突破将有力推动我国电力电子技术的发展，加速高端制造业的转型升级。

国盛公司前身是信息产业部电子第五十五研究所电子材料产品部，专业从事半导体硅外延材料的研发及批量生产。公司拥有LPE、Gemini等公司生产的多种型号外延炉，主要产品包含列从3英寸到8英寸的P型和N型外延片，产能为8万片/月(4英寸等效)。

值得一提的是，国盛公司大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅（SiC）外延产品已成功诞生。国盛公司表示，首枚SiC外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客户提供验证样片工作正式启动。这一成果为国盛公司在第三代半导体领域的发展打开了新的篇章。

自电科材料南京外延材料产业基地项目投产以来，大尺寸硅外延片、SiC外延片已先后实现客户交付，第一枚GaN on Si外延片下线，标志着国盛公司产品多元化布局初步完成。这一突破为国盛公司打开了新的发展空间，将有力推动我国高端制造业的发展。

展望未来，随着电科材料在第三代半导体领域的持续投入和布局，我国在全球半导体产业的地位将进一步提升。我们期待电科材料在第三代半导体领域取得更多突破性成果，为我国高端制造业的发展作出更大的贡献。