英飞凌公布其OBC产品的战略路线

英飞凌在IEDM 2023上公布了其OBC产品的战略路线，推动第三代半导体在OBC上的应用。SiC和GaN作为第三代半导体材料，具有高功率密度和高效率等优点，因此被广泛应用于电动汽车、数据中心、电池驱动的非高峰电源等领域。

英飞凌的OBC技术路线图显示，未来几年OBC将会大规模转向SiC，功率密度提升至4kW/L，到2025年后，将会推进GaN进入OBC，届时功率密度将会提高至6kW/L以上。实际上，SiC已经在OBC上得到广泛应用，而GaN也在逐步进入电动汽车领域。随着GaN在消费领域的成本逐渐接近硅基功率器件，未来在汽车领域采用GaN的部件成本也可能很快接近同类的车规硅基功率器件。