英飞凌发布首款15V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

随着数据中心和计算应用对电源需求的不断增长，英飞凌科技（IFX / OTCQX：IFNNY）积极顺应系统层面的发展趋势，推出了创新性的产品——全新OptiMOS 7系列15 V沟槽功率MOSFET。这一系列产品旨在提高电源效率，满足紧凑电源设计的需求，特别适用于服务器、计算、数据中心和人工智能应用中的DC-DC转换。

OptiMOS 7 15 V系列引入了最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置封装，提供了底部冷却型和双面冷却型两种标准引脚排列形式，以满足不同的应用需求。此外，产品组合还包括超小型的PQFN 2 x 2 mm²封装，为用户提供更多灵活的选择。该系列技术专为低输出电压下的DC-DC转换而设计，尤其在服务器和计算环境中表现出色，符合数据中心配电中新兴的48:1 DC-DC转换趋势。

OptiMOS 7 15 V相对于现有的OptiMOS 5 25 V，通过降低击穿电压，成功降低了RDS(on)和FOM Qg约30%，FOM QOSS约50%。新推出的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置封装型号，通过提供更灵活的PCB设计优化，为用户提供更多选择。此外，PQFN 2 x 2 mm²封装的脉冲电流能力超过500 A，典型RthJC为1.6 K/W。通过最大限度地减少传导和开关损耗，采用先进的封装技术，OptiMOS 7 15 V系列实现了散热管理的简化，为功率密度和整体效率树立了新的标杆。

这一创新产品系列的推出，将为电源领域注入新的活力，提高系统性能和可靠性，助力满足不断增长的数据中心和计算应用对高效电源的需求。