Nexperia推出首款SiC MOSFET

近日，全球领先的基础半导体器件制造专家Nexperia宣布推出其首款碳化硅（SiC）MOSFET，进一步丰富了其高产能生产产品线。两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ和80 mΩ，名为NSF040120L3A0和NSF080120L3A0。这标志着Nexperia在碳化硅技术领域迈出了坚实的一步，为电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)、太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用提供了更高性能的SiC MOSFET解决方案。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示，这次推出的两款产品将为市场带来更多创新，促使更多宽禁带器件供应商崛起。她指出，这标志着Nexperia与三菱电机携手合作，共同致力于生产高质量的SiC MOSFET。这种合作的初步成果无疑是对SiC器件性能发展的积极推动。

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示，他对与Nexperia合作推出这些新型SiC MOSFET感到高兴。他强调，三菱电机在SiC功率半导体领域拥有丰富的专业知识，这次合作的首批产品在多方面特性上实现了卓越平衡。

在SiC MOSFET中，RDS(on)是关键性能参数，影响传导功率损耗。Nexperia通过采用创新型工艺技术，在25℃至175℃的工作温度范围内，使RDS(on)的标称值仅增加38%，实现了业界领先的温度稳定性。此外，低栅极总电荷(QG)和平衡栅极电荷等特性，使得Nexperia SiC MOSFET在栅极驱动损耗和抗扰度方面更具优势。

未来，Nexperia计划推出车规级MOSFET，这显示了其在不断创新和满足市场需求方面的决心。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0已经投入大批量生产，为客户提供更高效、可靠的SiC MOSFET解决方案。这次推出的产品不仅是技术创新的体现，也是行业合作共赢的典范。