SKMP成功研发高厚度KrF光刻胶

韩国SK集团于2020年以400亿韩元收购了锦湖石化的电子材料业务，新成立的子公司SK Material Performance（SKMP）近期成功研发了一种高厚度KrF光刻胶，并已通过SK海力士的性能验证。这一创新将助力SK海力士的3D NAND闪存技术发展。

据悉，SKMP开发的KrF光刻胶厚度为14~15微米，与东进半导体（DONGJIN SEMICHEM）供应给三星的产品相似，而日本JSR公司的类似产品厚度仅为10微米。现在，随着SKMP的加入，SK海力士将能够利用这款KrF光刻胶生产238层3D NAND闪存。

SKMP的崛起可能会改变行业格局，取代日本JSR的主导地位，成为其主要供应商。目前，SK海力士的238层3D NAND闪存晶圆的月产能约为5000片，预计未来将进一步提升产能，从而推动SKMP公司光刻胶的销售增长。

在闪存技术方面，SK海力士于2023年8月展示了世界首款321层NAND闪存芯片样品，属于TLC 4D NAND，容量高达1Tb，预计产品将于2025年量产。这一突破性的技术进步将进一步强化SK海力士在存储器市场的竞争力。