英飞凌GIP总裁：SiC模块发展与合作之路

英飞凌（Infineon）的绿能工业动力（GIP）部门总裁Peter Wawer近日接受采访时，分享了该部门的转型以及他对碳化矽（SiC）模块发展策略的看法。

英飞凌在2023年4月将工业电源控制（IPC）部门更名为GIP，业务重点从工业领域的自动化转移到再生能源及充电基础设施。Wawer强调，SiC对于GIP的成长至关重要。

他指出，SiC已经渗透到每个应用中，只有与客户密切合作，才能创新发展方式。英飞凌已经开发出3300V的SiC零件，并向客户提供首批3300V模块的样品。

Wawer表示，虽然SiC的快速开关应用损耗比IGBT低约80%，但SiC的价格高得多。然而，英飞凌已经找到了降低成本的机会，SiC在某些应用可以提供巨大的成本优势。

为了继续投资于SiC的生产，英飞凌正在德勒斯登晶圆厂投资50亿欧元，继续投资菲拉赫的12寸晶圆厂，并将传统矽转化为SiC。同时，他们还扩建了位于马来西亚居林的8寸晶圆厂，目标是打造全球最大的8寸SiC晶圆厂。

Wawer表示，菲拉赫晶圆厂正准备生产8寸SiC晶圆的电气样品，并考虑进军氢能源业务。英飞凌预估，未来10年，全球电网每年投资将倍增，达到3,000亿至6,000亿欧元。

在此领域，对IGBT电源的需求不断增长，客户也在关注SiC。虽然英飞凌已经在讨论开发高功率氮化镓（GaN）产品，但目前还没有明确的前进方向。