英诺赛科：开启研发新型宽禁带半导体材料

英诺赛科（苏州）全球研发中心于11月20日正式启用，该中心将成为新型宽禁带半导体材料与器件的研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。该中心建筑面积3.5万平方米，将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求，重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件。

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业，采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体。英诺赛科的主要产品涵盖从低压到高压（30V-700V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

据TrendForce集邦咨询《2023GaN功率半导体市场分析报告 - Part1》指出，按照2022年的营收来看，GaN功率器件前六大供应商分别是PI、Navitas、英诺赛科、EPC公司、GaN Systems、Transphorm。