中电科南京外延材料产业基地成功试生产

近日，中电科半导体材料有限公司的南京外延材料产业基地项目宣布已成功完成试生产，为第三代半导体材料产业迈出重要一步。该产业基地位于南京江宁开发区综合保税区，占地面积达10万平方米，签约于2021年9月27日。

南京外延材料产业基地项目分两期实施，首期投资高达19.3亿元，着重建设第三代化合物外延材料和8-12英寸硅外延材料产业基地。项目达产后，将创造8-12英寸硅外延片456万片/年，6-8英寸化合物外延片12.6万片/年的生产能力。

这一重要项目在2022年11月实现了首片硅外延和碳化硅外延下线，标志着产业基地已进入试生产和验证阶段。项目从签约到试生产阶段仅用了一年多的时间，展现了卓越的进展速度。

第三代半导体材料，以碳化硅和氮化镓为代表，因其宽带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、大击穿场强等优势而备受瞩目。碳化硅功率器件在新能源汽车、光伏、轨道交通、大数据等领域有广泛应用前景，而氮化镓射频器件在5G通讯、物联网、军用雷达等领域展现出高频、高功率、较宽频带、低功耗的优势。

在加工制备中，衬底上制备高质量外延材料被认为是推动第三代半导体产业化应用的关键，对提高器件性能及可靠性起到关键作用。中电科南京外延材料产业基地的试生产成功标志着该基地在推动第三代半导体产业发展方面迈出了关键一步。