芯生代科技发布创新850V大功率GaN-on-Si外延产品

温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上盛大发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus®系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品，引起了行业客户和知名投资机构的浓厚兴趣。

这一系列产品相较于其他衬底的HMET功率器件，GaN-on-Si能够实现更大晶圆尺寸和更多元化的应用，迅速适应FAB厂主流的硅基芯片工艺制程，从而在提升功率器件良率方面具有独特优势。采用先进的硅基芯片工艺制程，并与Si CMOS驱动进行高良率的混合集成，芯生代科技的850V Cynthus®系列GaN-on-Si外延产品可开发出650V、900V和1200V HEMT产品，特别适用于设计更小、更高效的电源解决方案。

芯生代科技创始人兼首席科学家钟蓉博士的引领下，通过改进外延片的生长机理，精确控制生长条件，实现了外延片的高均匀性。利用独特的缓冲层成长技术，成功实现了外延片的高击穿电压和低漏电流。通过精确控制生长条件，实现了出色的二维电子气浓度。这一创新的850V Cynthus®系列产品的发布标志着市场上的重要突破，为高压GaN-on-Si产品的成功开发提供了新的可能性。