云镓半导推新GaN驱动解决方案，助力高效电源设计

宽禁带半导体材料GaN构建的异质结器件，以其低寄生电容和零反向恢复等优势，推动系统迈向高频率与小型化，成为电能转换中不可比拟的利器。随着AI和大数据行业的蓬勃发展，搭载GaN功率器件的功率转换系统不仅提供更高效率，而且极大提升功率密度，降低系统成本。

尽管氮化镓功率器件在消费市场已有广泛应用，但在大功率领域仍存在系统可靠性风险。在大电流转换中，GaN驱动回路的寄生电感会导致栅极驱动电压出现“振铃”现象，造成器件误开通，影响系统可靠性。为解决此难题，云镓半导近期推出全新系列的氮化镓驱动解决方案，解决了GaN器件驱动回路的可靠性问题。

该公司自主研发的GaN功率IC，内置驱动解决方案，产品系列CGC0210x，规格涵盖70至800mΩ，最大工作频率可达2MHz，适用于各种拓扑结构的电路，广泛应用于20至2000W的消费和工业电源，包括适配器、电视电源、LED驱动以及服务器电源等应用。

主要特点概述：

宽VCC电压范围： 产品内置线性稳压器，保证稳定的6V末级供电，使GaN器件的栅极接受稳定的6V驱动信号。

宽PWM输入幅度： 输入PWM信号幅值最高达18V，兼容传统硅基功率器件控制器。

独立SGND与PGND设计： 采用独立设计，提升系统可靠度。

灵活可调dv/dt： 外部管脚调整器件的turn-on slew rate，提供EMI调整空间。

超小寄生回路： DFN6*8封装集成了GaN功率器件和栅极驱动器，提高应用可靠性，且底部散热焊盘设计有利于散热。

这一新解决方案有望助力高效电源设计，为产业发展带来更为可靠、高效的能源转换方案。