美光科技领先业界，发布1β制程节点技术存储器产品

据icspec消息，我们隆重推出采用1β制程节点技术的16Gb DDR5存储器。美光1β DDR5 DRAM的内置系统功能速率高达7200MT/s，并已开始向所有资料中心和个人电脑用户发货。美光1β DDR5存储器利用先进的高介电常数CMOS制程、四相时钟和时钟同步技术，相较于上一代产品，性能提升了50%，每瓦性能功耗降低了33%。

美光科技指出，随着资料中心工作负载需要不断增加，CPU内核数量也在持续增加。为了突破存储器墙的瓶颈，并为客户提供优化的总拥有成本，存储器频宽和容量需求也大幅提升。

美光1β DDR5 DRAM能够扩大计算能力，并通过提供更高性能来支持资料中心和客户端平台，包括AI训练和推理、生成式AI、数据分析和存储库等应用。全新的1β DDR5 DRAM产品在现有模块化密度中，速率可达4800MT/s至7200MT/s，适用于资料中心和客户端应用。

美光核心运算DRAM产品设计工程事业部企业副总裁Brian Callaway表示，量产1β DDR5 DRAM并提供给客户和资料中心平台是业界的里程碑。在与生态系统伙伴和客户的合作下，我们将加快高性能存储器产品的普及。

美光1β技术还可以提供更广泛的存储解决方案，包括使用16Gb / 24Gb / 32Gb DRAM芯片的DDR5 RDIMMs和MCRDIMMs，以及使用16Gb / 24Gb DRAM芯片的LPDDR5X、HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5存储器产品可通过直接销售和渠道伙伴供应。