凌锐半导体推出新一代1200V SiC MOS

半导体产业网讯：凌锐半导体近日正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS，产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。

据悉，凌锐1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS已达量产阶段，并在Q4实现客户端批量交货。凌锐正积极布局研发下一代更高性能的产品。

具体来看，在开关损耗方面，凌锐产品的开关损耗大幅降低，功率模块发热量减少，降低了对功率模块散热器和整个变流器冷却系统的要求，进而体积和重量减少。同时，可以在更高频率下切换，将降低电路中变压器、电容、电抗器等无源元件的体积和重量。

在栅氧质量方面，凌锐产品有较大的栅氧工作电压范围，且有较小的VSD，体二极管续流时有显著小的续流损耗，从而保护栅氧免遭应力而导致的失效或退化。

此外，在各种应用场景的特殊性和兼容性方面，凌锐对产品设计进行了多次迭代优化，从而能够同时兼容15V和18V栅极驱动电压。在15V 的驱动下，凌锐产品能够与友商相互兼容；而在18V 的驱动下，客户则能充分发挥凌锐产品的性能优势。

凌锐半导体专注于第三代半导体碳化硅（SiC）车规级芯片研发与销售，公司总部位于上海，设有中国与欧洲两个研发中心，核心团队由来自于原英飞凌（Infineon）、科锐（CREE Wolfspeed）、 意法（ST）、安森美（Onsemi）核心功率器件团队的海归与外国专家组成，具备深厚的功率器件开发和量产经验。

根据2022年Yole的最新市场调研报告，碳化硅（SiC）芯片市场将由2021年的10亿美元激增至2027年的60-70亿美元，年复合增长率达34%以上。受益于电动汽车与新能源的长期需求，未来10-20年都是碳化硅的高景气赛道。目前碳化硅MOS市场几乎完全被欧美巨头占据。尽管国内涌现了几个碳化硅团队，真正掌握核心技术的少，产品主要以SBD为主，能达到车规且大批量出货的几乎没有。