年产60万片！乾晶半导体碳化硅衬底项目中试线主厂房结顶

10月12日，乾晶半导体（衢州）有限公司（以下简称“乾晶半导体（衢州）”）碳化硅衬底项目中试线主厂房结顶仪式在智造新城东港八路78号一期地块举行。

据此前消息，该项目总占地面积22亩，总建筑面积约19000平方米，第一期总投资约3亿元，计划建成碳化硅6/8英寸单晶生长和衬底加工的中试基地。第一期项目将在2023年底具备设备搬入条件。

乾晶半导体透露称，随着衢州生产基地项目一期到三期的分批建成，乾晶将逐步实现年产60万片碳化硅6-8寸衬底供给能力。

乾晶半导体（衢州）是杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）的全资子公司及生产基地。资料显示，乾晶半导体主要从事碳化硅的单晶生长和衬底加工的研发，是浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院孵化的碳化硅材料公司，也是浙江省科技厅“尖兵计划”大直径碳化硅衬底项目的承担单位。

融资方面，今年1月，乾晶半导体完成亿元Pre-A轮融资，本轮融资将用于碳化硅衬底的技术创新和批量生产。

研发成果方面，乾晶半导体于2022年7月成功生长出了厚度达到50mm的6英寸碳化硅单晶，后于2023年5月生长了厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭。

产品进度上，乾晶半导体6英寸碳化硅抛光片已经通过客户验证，工艺技术转入衢州生产基地开展产业化，项目拟月产6英寸碳化硅抛光片5千片，计划于2024年二季度达产。其8英寸碳化硅晶体生长技术于2023年四季度转入萧山研发中心进行中试。

此前9月下旬，乾晶半导体与谱析光晶、绿能芯创签订三方战略合作协议。三方约定紧密配合、共同投入开发及验证应用于特殊领域的SiC相关产品，签约同时项目启动（9月），并签订了5年内4.5亿的意向订单。

当前，新能源汽车迅猛发展，其使用的关键功率元件碳化硅正炙手可热，除上述企业外，包括安森美、wolfspeed、罗姆、山东天岳、三安光电、天科合达等企业也纷纷布局。

据TrendForce集邦咨询分析，2023年整体SiC功率元件市场规模将达22.8亿美元，年成长41.4%。并预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。

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