ASML承诺年底前交付首台 High-NA EUV 光刻机
来源:中国半导体论坛发布时间:2023-10-141894浏览
询问 AIEUV光刻技术的推进相当困难，光刻机龙头ASML也是举步维艰，一点点改进。此前，ASML 首席执行官 Peter Wennink 在接受路透社采访时表示，尽管供应商出现了一些阻碍，但公司仍会按照此前设定的计划，在今年年底之前交付 High NA EUV 机器。
9月8日消息，ASML宣布，将在今年底发货第一台支持高NA(数值孔径)的EUV极紫外光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”。Wennink 表示部分供应商无法提高组件的数量和质量，因此导致了轻微的延误，但整体而言这些困难都可以控制，承诺会在今年年底之前交付首台机器。
ASML 表示一台高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）设备的体积和卡车相当，新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也将缩小到8nm，可以满足一线芯片制造商的需求，可以在未来十年内制造更小、更好的芯片。至于这种先进光刻机的价格，没有官方数据，不同报告估计在单台成本就要3-4亿美元，相当于人民币22-29亿元。
NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D，NA只有0.33，对应的分辨率为13nm，可以生产金属间距在38-33nm之间的芯片。
但是，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，这样的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助，不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高的NA成为必需。
据业内人士分析，Intel依然会是高NA EUV光刻机的第一家客户，可能会在18A节点的后期引入它。台积电、三星都计划在2025年晚些时候投产2nm工艺，或许也会用上高NA EUV光刻机。
9月8日消息，ASML宣布，将在今年底发货第一台支持高NA(数值孔径)的EUV极紫外光刻机，型号“Twinscan EXE:5000”。Wennink 表示部分供应商无法提高组件的数量和质量，因此导致了轻微的延误，但整体而言这些困难都可以控制，承诺会在今年年底之前交付首台机器。
ASML 表示一台高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）设备的体积和卡车相当，新一代EXE:5000就能做到0.55 NA，光刻分辨率也将缩小到8nm，可以满足一线芯片制造商的需求，可以在未来十年内制造更小、更好的芯片。至于这种先进光刻机的价格，没有官方数据，不同报告估计在单台成本就要3-4亿美元，相当于人民币22-29亿元。
NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。ASML现有最先进的EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D，NA只有0.33，对应的分辨率为13nm，可以生产金属间距在38-33nm之间的芯片。
但是，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，这样的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助，不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高的NA成为必需。
据业内人士分析，Intel依然会是高NA EUV光刻机的第一家客户，可能会在18A节点的后期引入它。台积电、三星都计划在2025年晚些时候投产2nm工艺，或许也会用上高NA EUV光刻机。
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