贝茵凯一次流片出三款大功率IGBT芯片，良率接近100%

集微网消息，据消息人士透露，国内高功率半导体供应商北京贝茵凯微电子有限公司（以下简称“贝茵凯”）一次流片过程中就产出三款大功率系列产品，电压分别达到了1200V、1700V与1000V，其关键指标均达预期，良率几乎达到百分之百。

就在今年8月，贝茵凯成功研发出全自主的“第七代大功率IGBT”，并于12英寸晶圆上面世。就200A电流规格的芯片而言，12英寸晶圆能产出约400颗芯片，而8英寸晶圆这一数据仅为150颗左右。

贝茵凯成立于2022年5月，其位于北京的集成电路研发和总部基地，专注于先进功率器件设计、开发、制造与相关产品集成，核心产品为1.6微米Pitch的第七代硅基IGBT大功率芯片和碳化硅MOSFET功率芯片。贝茵凯创始团队在功率半导体领域深耕多年，拥有丰富的研发技术与产业资源。