南亚科10奈米制程推进顺利 DDR5明年下半年交货

中国台湾DRAM厂商南亚科看好明年DDR5渗透率提升，对于南亚科目前主攻的DDR4/LPDDR4以下的市场，有助于该市场的库存消化，回到健康的供需，而在技术推进上，目前10奈米第二世代8Gb DDR4已近完成试产，并开始投片DDR5产品，第三世代目前正在开发测试晶片，进度符合预期。

南亚科自主开发DRAM 10奈米制程，共可分为三个世代，第一世代已完成，且已开始生产，但公司策略上第一世代并不会大量产，而是直接进入更有竞争力的第二世代；而在第二世代，8Gb DDR4已近完成试产，并开始投片DDR5产品，预计明年第二季开始验证，目标明年下半年小量交货，另外，也开始在设计LPDDR4跟LPDDR5的产品，明年逐步试产。

而在更下一阶段的制程开发，南亚科表示，10奈米第三阶段目前在做测试晶片，进度符合预期，也开始EUV制程的开发，这部分是与欧厂合作，透过对方设备做开发，算是相对早期的进度，已有正面结果，实际量产要等南亚科新厂建好，才会有量产的规划。