华为公开“半导体器件”专利：提升场效应晶体管电流驱动能力

集微网消息，天眼查显示，华为技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条名称为“半导体器件”，公开号为CN116868342A。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括场效应晶体管。该场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。源极和漏极分别位于氧化物半导体沟道的两端。漏极和源极分别与氧化物半导体沟道的多个表面相接触以增大源极和漏极与氧化物半导体沟道的接触面积，从而降低接触电阻。由于半导体器件的接触电阻被降低，因此在相同电压下的电流被增加，从而提升了场效应晶体管的电流驱动能力以及响应速度。

据悉，截至2022年底，华为持有超过12万项有效授权专利，主要分布在中国、欧洲、美洲、亚太、中东和非洲。其中，华为在中国和欧洲各持有4万多项专利，在美国持有22,000多项专利。

（校对/刘昕炜）