美国打压长江存储的目标实现？美光、三星等从落后，变成领先

近日，三大存储巨头SK海力士、美光、三星先后表示，自己的300+层的4D NAND闪存预计很快就会面市，与上一代的232层3D NAND闪存相比，存储密度更高，同时读写速度也更快，功耗降低，延迟降低。

对于存储芯片而言，存储密度更高，代表着单位体积内，容量增大，成本降低。而读写速度更快，意味着性能提升。

这意味着一旦新款的300+的4D NAND闪存上市，对于市场而言，将会是一个大升级，其它没能及时推出300+层闪存的厂商，将没有竞争优势。

拿SK海力士来举例，他说自己的321层4D NAND闪存，相比于上一代232层的3D闪存，单位容量提升了41%，生产效率也提升了59%，算下来单位容量成本降了至少50%。

这让只能生产老款232层的3D NAND闪存怎么竞争？成本降了50%啊，价格优势太明显了。

这其中对谁的影响最大？估计就是中国存储厂商长江存储了，你想一想，如果三星、SK海力士、美光们的成本降了50%，长江存储怎么竞争呢？跟着降50%？肯定是亏，不降价，则市场会被抢，真的是左右为难。

可能很多人会说，那长江存储也可以努力研发300+层的技术啊，技术上追上，就不担心了。

但是，问题了，从去年开始，美国将长江存储拉入了黑名单，对长江存储进行了打压，目的就是希望遏制长江存储的发展，特别是不允许他研发出新的技术。

为什么美国要打压长江存储，原因在于长江存储虽然成立时间短，但进步可是全球第一，6年时间，就从0突破，成为全球首家量产232层3D NAND闪存的厂商。

比三星、SK海力士、美光还领先，一旦让长江存储这么发展下去，估计中国的存储芯片就要全部自给，不需要再进口了，不仅如此，长江存储全球领先之后，还将威胁到美光、三星、SK海力士等的地位。

于是美国出手，对长江存储进行制裁，不将先进的设备、技术等出口给长江存储，甚至连已经出口的先进设备、技术等，都要受管制。

现在的结果其实也比较明显，那就是在打压之后，长江存储受到了影响，再也无法保持领先地位了，明明全球第一家量产232层3D NAND芯片，但在最新的300+层的4D闪存上，却落后了。

而这也是美国想要看到的，美国希望继续由美光、三星、SK海力士来引领存储芯片市场，美光是美国的，三星、SK海力士是韩国的，但其实也是美国的小弟。这样中国就还需要美国的存储芯片，还得依赖美国，那么美国就可以继续保谁自己的芯片霸权。

可见，依赖国外技术的突破，真的是空中楼阁啊，还得国产供应链发展起来，独立自主突破才真正可控。

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