台积电3纳米差点背锅！iPhone15发热祸首是一零件

iPhone 15 Pro系列新机出现容易过热的毛病，外界一度以为是台积电3纳米的问题，但苹果官方上周末发声明表示，主要是iOS 17系统的漏洞与第三方应用程序（APP）交互作用下所导致。此外，有业内人士爆料，罪魁祸首恐怕是规格升级的DRAM（动态随机存取内存）造成运行庞大负担。

知名科技爆料者Revegnus在社群软件X（原名Twitter）上引述一位熟悉苹果半导体业务的达人说法，「几乎已经确定iPhone 15系列的DRAM是发烫的罪魁祸首，规格升级的DRAM为了配合数据处理速度，消耗了更多电力，这个过程中就会产生热。」

Revegnus也提到，该名业内人士认为，此问题可能会在一至两个月内解决，并已经排除其他会引起过热的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新机后发现，搭载的DRAM是美光最先进的D1β LPDDR5 DRAM芯片。

此前，韩媒将iPhone 15过热原因指向台积电3纳米制程，并提到此迹象可能是FinFET制程技术已经到达极限，而提早在3纳米转进GAA制程的三星将有突破点，且如果市场对台积电3纳米存疑，客户可能会转向或同时采用三星的产品，引起热烈讨论。