英特尔年底将导入High-NA EUV微影曝光设备

集微网消息 英特尔 (Intel) 上周宣布，投资185亿美元的爱尔兰Fab 34晶圆厂以EUV微影曝光设备量产，是英特尔芯片制造的重要里程碑。

英特尔技术开发总经理Ann Kelleher 表示，年底先导入下一代高数值孔径（High-NA）EUV 微影曝光设备，High-NA 高数值孔径 EUV 微影曝光设备将用在Intel 18A节点开发和验证，之后的节点量产。

英特尔强调，有了High-NA EUV微影曝光设备，理论上可实现“四年五节点制程”目标。Ann Kelleher 说英特尔正按计划进行，已完成两个节点制程，也就是Intel 7及Intel 4，第三个节点Intel 3很快就会开始，最后Intel 20A及Intel 18A节点都有非常好进展。

ASML CEO Peter Wennink 在9月接受媒体采访时透露，尽管供应商有些问题，但 ASML仍会照计划，年底交货High NA EUV微影曝光设备。一套High-NA EUV微影曝光设备体积和卡车相当，每台超过1.5亿欧元，满足各类半导体制造商需求，十年内可制造更小更先进的芯片。