GaN技术掀功率半导体革命！宜普挑战英飞凌

GaN因为更高的功率密度、更高的效率等优势正在成为功率半导体的关键材料。今年3月，英飞凌今宣布，将以8.3亿美元收购GaN Systems，双方已签署最终协议。

英飞凌此次收购带来了两大影响：第一，将一跃至GaN排名前三大，超越2021年排名前五大的宜谱。第二是英飞凌Si、GaN、碳化矽（SiC）提供一应俱全方案，使其出海口优势如虎添翼。

身为竞争者之一的宜普，是否评估未来的排挤效应？这得从不同组织特性、不同定位及策略谈起。

宜普（EPC）联合创始人暨CEOAlex Lidow指出，宜普的晶圆技术是以矽基氮化镓（GaN-on-Si）为基础，每个元件的镓含量微乎其微。

据了解，GaN是一种相对较新的技术，因此没有庞大的电路模块库可以简单地被“剪切和粘贴”使用。缺少电路模块库使得设计阶段更长，因为设计过程需要更多的迭代，并且需要IC设计人员具有更高的技术水平。第三，分立式技术将继续快速发展，GaN仍与其最大理论性能相差300倍之多。

在实现完整的GaN片上系统解决方案之前，还需要克服一些挑战。首先，GaN中还没有p沟道器件，这使得电路设计更加困难，尤其是可能无法制造出好的CMOS电路。其次，预先设计的电路模块更少。