金刚石p型横向SBD取得突破来源:化合物半导体发布时间:2023-09-191528浏览询问 AI伊利诺伊大学团队报告称SBD击穿电压达到4612 V,创下新高新闻来源:化合物半导体,文中所述为作者独立观点,不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议,请联系微信客服specltkj。