三星野心：NAND超过1000层，超越台积电

来源:半导体行业观察发布时间:2023-09-081014浏览

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负责监管这家科技巨头芯片业务的三星电子联席首席执行官 Kyung Kye-hyun 表示，随着在德克萨斯州泰勒建设一座新芯片工厂，对其与其主要竞争对手台积电的代工竞争充满信心。

Kyung周二访问首尔国立大学，为有前途的人才发表题为“三星半导体的梦想与幸福：可持续的未来”的特别讲座。

在此次讲座之前，他分别于五月和六月向大田韩国科学技术院和首尔延世大学的学生进行了讲座。

在周二的演讲中，这位联席首席执行官谈到了他在 7 月份出差美国期间对泰勒工厂的最新访问，并表示三星将在明年年底开始在那里生产 4 纳米芯片。

Kyung 对三星领先于台积电表示自豪，台积电尽管领先，但已宣布推迟在美国开设先进晶圆实验室。“我感受到了我们员工的精神，”Kyung 说。

这位芯片负责人强调，全球最大的存储芯片制造商正在美国打“主场”，而其主要竞争对手则在那里打“客场”。

据台湾市场追踪机构TrendForce周三称，三星在4月至6月期间公布了令人印象深刻的季度收入增长，从而缩小了与台积电的市场份额差距。

三星第二季度在全球代工领域的市场份额从上一季度的 9.9% 上升至 11.7%。三星在上述期间的代工销售额为 32 亿美元，比 1 月至 3 月期间增长 17.3%。

另一方面，台积电的市场份额从同期的 60.2% 下降至 56.4%。这家台湾公司第二季度的销售额为 156 亿美元，比上一季度下降 6.4%。根据TrendForce的分析，这一下降是由于5纳米和4纳米制造工艺的收缩造成的。

Kyung还表示，引领存储芯片市场的三星电子应该在代工市场取得成功，成为一家价值1000万亿韩元（7520亿美元）的公司。

这位联合首席执行官补充道，作为全栅工艺技术的创造者，三星在代工业务方面已经领先于竞争对手，但该公司面临着人力资源保障的挑战。

GAA 是一种在通道的所有四个侧面都放置栅极的器件。它被认为是能够克服现有晶体管结构 FinFET 局限性的下一代技术。

Kyung还提到，三星正在继续开发技术，在DRAM中采用10纳米技术，在NAND中将堆叠级别提高到1,000层，以保持其在内存业务中的第一地位。

这位芯片负责人表示，三星还在努力确保封装领域的领先技术，该领域最近在半导体行业中变得越来越重要。

“由于摩尔定律已经结束，我们需要通过使用多芯片制造封装来克服它。......我们正在通过包装制造世界上不存在的技术，”他说。摩尔定律指的是微芯片上的晶体管每两年增加一倍的概念。

他指出了五种可能给芯片行业带来变革的关键技术——人工智能、物联网、机器人、无人机和清洁技术——并表示这些技术将成为芯片行业革命的“下一波”。上一波浪潮是由计算机和互联网引领的。

联席董事长还分享了他的管理理念：“只有怀揣梦想，企业才能生存。”并补充说，他希望大学的有前途的人才能够来到三星工作。

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