国家第三代半导体技术创新中心（南京）投产 打造6英寸SiC电力电子器件研发与中试平台

9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举行。国家第三代半导体技术创新中心（南京）一期项目竣工投产。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）主任陈辰介绍，经过摸底调研，该中心排出国家重点需求在新能源汽车、光伏、轨道交通、高压输变电、智能电网等五大跑道，确定了攻坚“新能源汽车用高电流密度高可靠碳化硅 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品”和“面向智能电网和高铁应用的高压大功率碳化硅电力电子器件”两大方向，从碳化硅电力电子的基础理论、材料生长、器件制备、系统应用等四个方面，联合生态伙伴们一道攻关。

该中心一期项目依托中电集团55所原有厂房区域，以存量带增量的方式，打造6英寸SiC（碳化硅）电力电子器件研发与中试平台，在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，形成具有自主知识产权的碳化硅器件技术体系。二期项目计划于2024年开建，工厂将打造8英寸第三代半导体芯片制造、先进晶圆封装、模块封装平台。

活动现场集中签约的10个项目，形成了从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局。

（来源：新江苏·中国江苏网）