成本超3亿美元！ASML年底推出首款High NA EUV微影曝光设备

据外媒报道，荷兰半导体设备制造商ASML CEO Peter Wennink 表示，该公司有望于今年推出业界首款数值孔径 (NA) 为 0.55 的极紫外 (EUV) 光刻扫描仪。ASML 的 Twinscan EXE:5000 机器将主要用于开发目的，并帮助客户熟悉新技术及其功能。High-NA 工具预计将于 2025 年及以后投入商业使用。

高数值孔径(High NA) EUV 微影曝光设备仅卡车大小。与相机一样，高数值孔径(High NA) EUV 微影曝光设备将从更宽角度收集光线，解析度提高70%。对领先半导体制造商生产先进半导体芯片是不可或缺的设备，十年内生产面积更小、性能更好的芯片。

需要注意的是，0.55 NA EUV 工具不会取代当代晶圆厂中当前的深紫外 (DUV) 和 EUV 设备，就像 0.33 NA EUV 的引入并没有逐步淘汰 DUV 光刻一样。在可预见的未来，ASML 将继续推进其 DUV 和 0.33 NA EUV 扫描仪。同时，高数值孔径 EUV 光刻将在缩小晶体管尺寸和提高其性能方面发挥关键作用。

报道称， 英特尔可能会在其18A工艺技术中采用 ASML 的 High-NA 工具，台积电和三星等将在晚些时候使用它们。但这些扫描仪价格昂贵，预计每台成本可能超过3亿美元，这将进一步增加领先晶圆厂的成本。