三星明年将升级NAND核心设备供应链

据媒体报道，三星作为全球最大的NAND闪存供应商，为了提高新一代NAND闪存的竞争力，将在2024年升级其NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。 

三星平泽P1工厂未来大部分产线将从第6代V-NAND改为生产更先进的第8代V-NAND，同时正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽P3的NAND生产线，此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。

三星的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年结束时，三星旗下设备解决方案部门的库存已增至33.69万亿韩元，高于去年年底时的29.06万亿韩元。

今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。为了减少NAND库存，三星将实施大规模减产，目标是到今年年底将库存降至正常水平，即6-8周。（注：库存天数是指从半导体成品生产完成到发货的时间段，用于衡量当前库存水平以及何时耗尽的指标。）

另外，在今年第二季度的财报电话会议上，三星高管表示计划下半年继续削减存储芯片的产量，尤其是NAND闪存的产量，以加速库存正常化。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND，该产品库存较多。

半导体的制造基于硅晶圆，因此减少晶圆投入量就会降低产量。相比于通过增加生产时间来延迟出货的“技术生产延迟”，减少晶圆投入直接导致半导体出货量和供应量的减少，因此被认为是一种快速平衡供需的手段。

值得注意的是，NAND闪存晶圆厂利用率也有所下降。虽然尖端产品与通用产品存在差异，但利用率大幅下降，特别是中国西安工厂估计不足50%，该工厂主要生产128层NAND。

由于半导体工艺转换需要相当长的时间，设备更换期间的减产效果显著 —— 也就是说，这将快速减少128层产品库存。三星之所以不停止生产，而是推动工艺转换，是因为200层以上的NAND闪存正在成为下一代旗舰产品。

三星正在准备236层NAND，以应对未来的需求。业内人士表示，去年128层NAND闪存占总需求的50%，其次是176层和96层NAND闪存；不过，今年176层NAND预计将超过50%，200层以上NAND将增加至10%。