国产刻蚀机大进步：达到3nm，拿下国内60%份额，逼退美企

众所周知，在目前的芯片制造工艺中，光刻机、刻蚀机是必不可少的两个重要工具。

如果从所有的半导体设备的成本来看，光刻设备占其中的20%，而蚀刻设备占其中的23%，两者占其中的43%的比例，足以证明光刻--蚀刻有多重要了。

光刻与蚀刻也是成套使用的，光刻工艺后，就是蚀刻工艺，缺一不可，不可替代。

而光刻机方面，国内的技术很落后，这个大家都清楚的。但刻蚀机方面，国内的技术可不差，完全是国际先进水平。

之所以这么强，这是因为一家公司，那就是中微半导体，由尹志尧博士于2004年创立。

在创立中微半导体之前，尹志尧博士曾在英特尔、泛林、应用材料等企业均工作过，积累了大量的经验、技术和人脉。

按照媒体的说法，尹志尧个人在半导体行业拥有86项美国专利和200多项各国专利，被誉为“硅谷最有成就的华人之一”。

后来他看到中国半导体技术相对落后，于是在2004年的时候，他带着钱，带着一批精英人才回国（据称第一批是15个），创办了中微，誓要打破国外的垄断。

在2007年的时候，中微研发出了第一代介质刻蚀机，并且全球首次采用可单台独立操作的双反应台，效率甚至比国外同类产品还要高30%。

然后中微不断的努力，中微的刻蚀机技术不断的进步，达到了全球最先进的水平，目前已经被用于某晶圆厂的3nm芯片生产线中。

而近日，中微更是表示，中微在中国电容耦合等离子体（CCP）刻蚀设备市场的市场份额预计将从去年10月的24%增至60%。在电感耦合等离子体（ICP）工具市场，其份额可能会从几乎为零上升到75%。

合计来看，中微今年在国内的刻蚀市场份额，可能提升至60%，而之前占据主导地位的美国泛林半导体、应用材料等，全部被中微打的节节败退了。

接下来，希望其它国产半导体设备，特别是光刻机，也能够像中微的刻蚀机一样，达到全球先进水平，实现5nm、3nm，那么中国芯片产业，就再也不怕美国卡脖子了。

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