东芯股份：上半年净亏损7511万，同比减少134.99%； 512Mb、1Gb NOR Flash已送样验证

东芯股份发布上半年业绩公告：营业收入2.40亿元，同比减少66.42%；归属于上市公司股东的净利润-7511万元，同比减少134.99%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-8,097.69 万元，较上年同期下降 138.52%。

针对营收下滑，东芯股份表示主要是受到全球经济环境、存储行业周期下行等影响，2023 年上半年较上年同期相比市场需求整体下滑明显，产品市场销售价格下降，公司营业收入大幅减少。

针对利润下滑，主要系（1）2023 年上半年营业收入和毛利率水平较上年同期相比大幅下降;（2）研发费用增长：本期随着研发项目的新增和现有项目的展开，研发人员、加工服务费等均较去年同期大幅增加;（3）计提的存货跌价准备增长：受下游应用市场需求疲软的影响，市场行情整体下行，产品市场价格持续下滑，根据企业会计准则规定，经谨慎性考虑后，公司对存在减值迹象的存货计提跌价准备。

今年上半年东芯股份研发投入占营业收入的比例为 34.94%，同比增加 27.22 个百分点，主要系本期研发费用较上年同期大幅增加而营业收入大幅下降。

报告期内主要业务情况：

SLC NAND Flash 产品方面，公司基于 2xnm 制程上持续开发新产品，不断扩充 SLC NAND Flash产品线，报告期内各项新产品陆续进入研发设计、首次晶圆流片、晶圆测试、样品送样等阶段。公司先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成晶圆制造及功能性验证，正在进行晶圆测试及工艺调整。

NOR Flash 产品方面，公司在 48nm 制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前 512Mb、1Gb大容量 NOR Flash 产品方面已有样品完成可靠性验证。另一方面，公司 55nm 制程产线的各项新产品陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等阶段。公司将持续完善 NOR Flash 产品线，为客户提供中高容量、高可靠性的 NOR Flash 产品。

DRAM 产品方面，公司将不断丰富 DRAM 自研产品组合，提高产品市场竞争力。

车规产品目前公司的 SLC NAND Flash 及 NOR Flash 均有产品通过 AEC-Q100 测试，公司将继续在严苛的车规级应用环境标准下开发新的高可靠性产品，扩大车规级产品线丰富度。

东芯股份是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。