MK Electronics开发用于HBM等下一代封装的低温焊球

据韩媒报道，MK Electronics宣布，已开发了针对高带宽存储器 (HBM)、2.5D 和 3D等下一代封装的低温烧结焊球。由铋(Bi)、锡(Sn)和银(Ag)制成，熔化温度低于150℃，预计将有助于产品良率和生产率的提高。

现有SAC（Sn-Ag-Cu）焊料的熔点超过250℃，这是在使用硅通孔电极 (TSV) 的 HBM 和 3D 封装中产品可能发生变形的温度。

MK Electronics通过研发低温烧结焊球产品来解决这个问题。当应用新产品时，预计因高热导致的产品缺陷和产量可以得到改善。该产品预计将应用于连接HBM和封装。

MK Electronics相关人士预测：“为了配合三星电子、SK海力士等企业扩大HBM生产，推出了HBM用低温烧结焊球。通过这种方式，可以为提高顾客的产品信赖度做出贡献。”