英飞凌采用TOLL封装650V SiC MOSFET

最新CoolSiC MOSET的热性能更好、功率密度更高、组装更容易

英飞凌采用TO无引线(TOLL)封装，开发出一款新型SiC CoolSiC MOSFET 650V。据称，该器件经过优化，在服务器SMPS、电信基础设施、储能系统、电池化成解决方案等应用中，其损耗低、可靠性高、易用性强。

CoolSiC 650V沟槽式功率SiC MOSFET拥有多种选择，可满足不同的应用。新系列采用符合JEDEC标准的TOLL封装，寄生电感低，从而可实现高开关频率、低开关损耗、良好热管理和自动化组装。

英飞凌表示，外形尺寸紧凑能有效利用电路板空间，使系统设计人员实现卓越的功率密度。

为即使在恶劣环境下也能实现高可靠性，专门设计出CoolSiC MOSFET 650V，使其成为具有重复硬换向的合适拓扑。

据称，采用.XT互连技术可通过降低热阻和热阻抗，进一步增强器件的热性能。此外，新器件的栅极阈值电压在4V以上，可抵抗寄生导通，其体二极管稳固，栅极氧化物(GOX)是市场上最强的，因此可实现低FIT（及时故障）率。

虽然通常推荐使用0V截止电压(V GS(off))来简化驱动电路（单极驱动），但新产品组合支持的V GS电压驱动间隔较大，范围在-5 V（关闭）至23 V（开启）。这确保了新器件的易用性，以及与其他SiC MOSFET和标准MOSFET栅极驱动IC的兼容性。与高可靠性、低系统复杂性以及自动化组装相结合，可降低系统和生产成本，并加快上市时间。

新型CoolSiC MOSFET 650V采用TOLL工业级封装，其分立器件拥有不同漏源导通电阻(R DS(on))，范围在22至83 mΩ，可供选择，且现在即可订购（107 mΩ、163 mΩ、260 mΩ版本将按需供应）。