西安紫光国芯新一代多层阵列SeDRAM技术

近日，西安紫光国芯半导体股份有限公司（以下简称“西安紫光国芯”）在VLSI 2023技术与电路研讨会上(2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits)公开发表了技术论文——《基于小间距混合键合和mini-TSV的135GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多层阵列 DRAM》（135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV），发布了新一代多层阵列SeDRAM 技术。该技术的发表是西安紫光国芯在SeDRAM方向上持续创新的最新突破。

本年度 VLSI 会议共收到全球投稿 632 篇，在最终录取的212 篇中，仅有2篇来自中国内地企业，其中1篇便是来自西安紫光国芯的嵌入式多层阵列DRAM论文。

论文第一作者西安紫光国芯副总裁王嵩代表公司作论文报告

本次VLSI 2023上，西安紫光国芯发布的新一代多层阵列SeDRAM，相较于上一代单层阵列结构，新一代技术平台主要采用了低温混合键合技术（HybridBonding，HB）和mini-TSV堆积技术。该技术平台每Gbit由2048个数据接口组成，每个接口数据速度达541Mbps，最终实现业界领先的135GBps/Gbit 带宽和0.66 pJ/bit能效，为叠加更多层 DRAM 阵列结构提供先进有效的解决方案。

嵌入式多层阵列SeDRAM示意图

论文通讯作者西安紫光国芯总经理江喜平表示，“2020年IEDM我们发布了第一代SeDRAM技术，之后我们实现了多款产品的大规模量产。这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术，实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量，可广泛应用于近存计算、大数据处理和高性能计算等领域。”