探讨GaN电力电子专利战的细节

尽管员工不忠和制造技术匮乏受到指责，但知识产权战中专利细则才是关键所在

不同类别GaN器件的商业化似乎遵循相似的轨迹。对于第一项主要技术，即基于氮化镓的高亮度LED而言，销售相关产品有机会获利，于是世界各地许多公司受到激励，向市场推出相关产品。最初，这些公司的努力重点是改善产品组合和公司收入，但一旦销售额攀升，公司间就开始互相争斗，声称其他公司侵犯其关键专利。现在看来，由于GaN功率器件销量激增，历史开始重演。

今年5月底，GaN领域打响了第一枪，加州无晶圆厂公司EPC发布新闻稿，称中国芯片制造商英诺赛科侵犯其四项美国专利，为此将起诉英诺赛科。EPC声称英诺赛科利用EPC的知识产权生产100 V和650 V相关产品。

EPC向联邦法院和美国国际贸易委员会提出诉讼，此外，还公开指责英诺赛科挖走两名员工，让两人分别担任英诺赛科的首席技术官及销售和营销部主管，据说英诺赛科之所以推出与EPC非常相似的产品，就是因为这两名员工。

英诺赛科很快就对EPC的指控做出了回应。两天后，这家垂直集成器件制造商发布了新闻稿，称已进行彻底分析，未发现侵权行为。

虽然随意指责可能有助于增强公司信誉，但这场专利战中专利细则才是关键所在。EPC和英诺赛科的新闻稿中没有详细讨论专利细则，但专利诉讼公司Radulescu LLP已对此进行审查；近期，在一次网络研讨会上，该公司负责人David Radulescu分享了他的想法。Radulescu非常适合对此类问题发表评论，因为他在这场专利战中保持中立，且拥有大量相关专业知识，多年来，还为GaN LED公司提供咨询，并代表GaN LED公司应对知识产权侵权索赔纠纷。

David Radulescu拥有康奈尔大学化合物半导体和器件(HEMT)博士学位，因此他具有独特优势，可以同时从法律角度和技术角度分辨真伪。

EPC和英诺赛科之间的案子仅涉及多种GaN晶体管中的一种。双方都生产常关型（E模式）器件，且器件栅极下方具有p掺杂(Al)GaN层。

EPC共有57项美国专利，其针对英诺赛科的诉讼涉及其中四项，两项是2013年的专利，另外两项是2017年的专利。

2013年的一项专利（美国专利号8,350,294）与设计和制造补偿栅极MISFET有关。Radulescu表示，此处有一个关键问题，即“补偿GaN层”一词描述的是否就是英诺赛科器件中的栅极层，英诺赛科的器件可能是通过掺杂GaN和镁而形成的。实现有效的p型掺杂绝非易事。这是LED发展过程中的关键里程碑，其先驱之一，诺贝尔奖获得者Shuji Nakamura发现，在氮气环境中退火会分解镁复合物，并将氢从材料中排出，最终提高材料电导率。

Radulescu分享了从公共领域获取的文章片段，这些文章是由英诺赛科员工撰写的，他还对栅极下方使用掺杂镁的p型层进行了讨论。此外，Radulescu还强调了EPC进行二次离子质谱(SIMS)后的结果，该质谱针对英诺赛科器件的栅极堆叠，检测了其中镁、氧、碳、铝和氢的含量。

专利诉讼专家解释说，法院必须仔细考虑一些问题。除了考虑英诺赛科是否使用“补偿GaN层”外，还必须尝试确定该公司是如何制造p型GaN堆叠的，是否与生产LED一样，生长后在氮气中退火，以及从SIMS数据中可以得出什么结论。

EPC声称其2013年的另一项专利受到英诺赛科行为侵犯，这项专利与自对准栅极E模式HEMT相关（美国专利号8,404,508）。EPC指出，在该专利中，其自对准工艺导致栅极（接触）金属底部与“栅极化合物”顶部尺寸相同。

Radulescu指出，栅极可以有多种形状，包括自对准几何形状，规则T形和倒T形。英诺赛科拥有栅极工艺专利（美国专利号10,971,579）。通过这种方法，有意将栅极下方的GaN做得比栅极（接触）金属更宽。

Radulescu表示，EPC声称其‘508专利受到侵犯，一些人试图评估这一声称的有效性，因此面临的一个关键问题是：“除栅极接触下方的部分掺杂GaN层外，蚀刻掉所有掺杂GaN层”是否描述了英诺赛科制造栅极“凸缘”的过程？

EPC声称受到侵犯的四项专利中，其余两项是2017年的专利，美国专利号分别为9,748,347和10,312,335，这两项专利包括带有自对准凸缘的栅极，可用于增强型GaN晶体管。两项专利描述了一种用于调整栅极漏电流的架构：金属栅极下方有凸缘，凸缘侧表面“水平延伸”至源极和漏极（见图）。

EPC的两项专利详细介绍了如何利用栅极凸缘，及其侧表面水平延伸这一架构，降低E模式GaN HEMT的漏电流。

Radulescu表示，这两项专利都要求栅极“侧表面”向源极/漏极“水平延伸”。英诺赛科可能会辩称其侧表面近乎垂直，或者可能会质疑应如何定义所需坡度。

显而易见的是，法律程序将花费大量时间和金钱。诉讼预算合理至关重要，法律团队在GaN技术和器件方面经验丰富，成功的机会就高得多，在此过程中避免战略错误也至关重要。

本案的听证会定于明年2月举行，判定日期预计为2024年10月3日。如果EPC胜诉，将禁止英诺赛科向美国出口产品。

结合LED的历史，在众多涉及GaN HEMT的专利战中，这场专利战预计将成为首场。虽然会有赢家和输家，但许多结果可能并不那么明确，因为建立交叉许可协议对双方都有利有弊。