锴威特科创板募资申购开启，拟募资5.3亿元投建功率半导体项目

8月8日，锴威特科创板募资申购开启。招股书显示，锴威特此次IPO拟募资约5.3亿元，投建智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目，以及用于补充营运资金。

图源：苏州锴威特半导体股份有限公司招股书

其中，智能功率半导体研发升级项目主要涉及公司的主营产品功率器件、功率IC、IPM、光继电器（PhotoMOS）等系列产品的技术升级、工艺制程优化及部分新品类的研发及规模化量产。其中，功率器件主要包括高可靠性高压平面MOSFET（包括FRMOS）、第三代超结MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V屏蔽栅MOSFET产品；功率IC包括高压高速栅极驱动IC、高功率密度电源管理IC产品。

该项目实施旨在继续加强公司在功率半导体产品的技术积淀，保持在功率器件、功率IC、IPM、光继电器（PhotoMOS）产品的领先优势，挖掘高性能智能功率半导体的发展潜力，打造全系列产品的技术创新平台，致力于成为市场一流的高性能、智能化功率半导体供应商。

SiC功率器件研发升级项目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V 1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产。在SiC功率器件方面，一是SiC MOSFET、SiC SBD由4寸晶圆升级到6寸晶圆的研制；二是在SiC MOSFET基础上开发集成SBD器件，开发出650V和1200V的SiC SKMOS。

功率半导体研发工程中心升级项目将对功率器件和模块封装可靠性、SiC高温封装、应用、基于SiC MOSFET制作光继电器（Photo MOS）以及数字电源进行持续深入研究。该项目基于锴威特现有技术进行了前瞻性布局，有利于提升公司的技术创新能力，进一步丰富技术储备。项目的实施一方面可以推动公司现有产品的优化升级，提升公司产品附加值；另一方面可以推动研发成果的成功转化，有助于丰富公司的产品种类，开拓新的产品应用领域，增强公司的盈利能力。

此外，在器件可靠性考核与测试应用能力方面，随着可靠性实验室及测试应用中心的建设，公司通过购置先进的测试设备，有利于完备公司可靠性考核能力，有助于提高产品良率，提升出厂产品的质量，更好的满足和服务于工业级及高可靠领域客户对产品品质的需求，同时，也使得公司具备完善的测试评价平台，并能够有效制作产品应用方案，指导客户更好的使用公司产品，从而有利于产品的市场推广。

资料显示，锴威特主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面，锴威特产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，锴威特产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外，在第三代半导体方面，锴威特的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。

锴威特表示，未来，公司将继续专注于功率半导体的设计、研发与销售，坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，聚焦消费电子、工业控制和高可靠领域，在新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等领域展开布局；在目前掌握的核心技术基础上，展开产品系列化及下游市场的进一步拓展、延伸。