扩产：英飞凌官宣50亿欧元投资、英特尔规划数十亿美元扩建

AI芯片、碳化硅等半导体细分领域的逆势增长，给予行业更多信心。在全球半导体产业低迷周期，英飞凌、英特尔仍在蛰伏扩产蓄能，为今后的产业复苏做准备，以抢占未来市场机会。

英飞凌官宣：扩大碳化硅产能

当地时间8月3日，功率半导体大厂英飞凌宣布，计划在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。

该计划的背后是客户的承诺与支持，英飞凌表示扩建计划已得到客户约50亿欧元design-win合同，以及约10亿欧元的预付款。其中，在汽车领域有6家车厂客户，包括福特、上汽和奇瑞等。

英飞凌指出，在接下来的5年内，将针对居林第三座厂房的第二期建设阶段，投入高达50亿欧元的额外投资，这样一来，居林厂计划投资总额从20亿欧元增至70亿欧元。再加上奥地利菲拉赫(Villach)和居林的8英寸碳化硅转换计划，此项投资预计将为英飞凌在2030年带来约70亿欧元的碳化硅年收益潜力。这项具高度竞争力的制造基地，也将为英飞凌在2030年达到碳化硅市场30%市占率的目标提供有力的支援。英飞凌预估，公司在2025会计年度的碳化硅营收将超越10亿欧元的目标。

为了加强碳化硅布局，此前英飞凌与天科合达、天岳先进合作，两家国内厂商将为英飞凌供应6英寸SiC材料；与鸿海集团已签订一份合作备忘录，双方将聚焦于碳化硅技术在电动车大功率应用的导入；并与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。根据协议，赛米控丹佛斯的IGBT和二极管将由英飞凌在德国德累斯顿和马来西亚居林的工厂生产。

除了英飞凌，安森美与博格华纳扩大碳化硅（SiC）方面的战略合作，协议总价值超10亿美元；Wolfspeed与车用芯片厂商瑞萨电子签10年SiC长单；三菱电机与Coherent（前 II-VI ）达成合作，双方将共同致力于扩大8英寸SiC器件的生产规模。

与传统硅基材料相比，碳化硅具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件，由此被广泛应用于汽车领域、太阳能、储能和高功率电动车充电等领域。

当前，碳化硅市场正加速成长。据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，2023年整体碳化硅功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。2026年碳化硅功率元件市场规模可望达53.3亿美元，而由主流应用之一的电动汽车带来的产值将达39.8亿美元。

英特尔或规划数十亿美元扩建

据外媒《tomshardware》报道，处理器大厂英特尔已提交一份申请，概述了将在未来5年内，于美国俄勒冈州Hillsboro附近的戈登摩尔公园(Gordon Moore Park)园区内的制造基地中，进行全面性的扩建计划。预计将建设其D1X研发(R&D)中心与先进制程晶圆厂的第四期据点，并重建已有数十年历史的D1A晶圆厂。

另据OregonLive报道，英特尔在申请计划中表示，有意改造其地标性的研发基地。尽管英特尔没有具体说明这些项目将耗费多少的经费，不过，依据之前升级D1X的第三期据点，总计耗资超过30亿美元，并使得整个园区的面积增加超过100万平方英尺来看，考虑到英特尔本次的计划不仅要建设D1X研发中心与先进制程晶圆厂的第四期据点，还要重建其已有30年历史的D1A晶圆厂、建造更多建筑物以及支援未来的相关生产，并加强各项新功能的情况下，预计金额将会超过先前投资的30亿美元金额。英特尔预计设备安装最快将自2025年开始，整体扩张计划将在2028年完成。

现阶段，英特尔在戈登摩尔公园园区内拥有5座晶圆厂，其中，最新的旗舰级D1X是研发中心与先进制程晶圆厂；D1A是于20世纪80年代兴建的晶圆厂；D1B和D1C均生产10nm芯片；D1D晶圆厂能生产7nm芯片。在当地，英特尔聘雇了22000名员工，是俄勒冈州目前最大的企业雇主。

而英特尔在美国的芯片版图包括俄亥俄州哥伦布晶圆厂综合体、亚利桑那州两座晶圆厂、新墨西哥州芯片工厂。

此外，值得注意的是，许可证申请代表的是英特尔的意图，而不是正式的承诺。尽管英特尔尚未就其俄勒冈园区的这些计划正式宣布，但CEO帕特·基辛格（PatGelsinger）在5月份表示希望该晶圆厂产能大幅增长。

本次拟议的扩张计划，标志着英特尔及俄勒冈州的重要转折点。倘若本次拟议的开发项目遵循俄勒冈州先前扩张的模式，投资可能达到数十亿美元，将是俄勒冈州历史上最重要的资本项目之一。这种扩建项目可以创造数百甚至数千个就业机会。

封面图片来源：拍信网