再投资50亿欧元，英飞凌建全球最大8英寸SiC晶圆厂

根据外媒报道，英飞凌在周四的一份声明中表示，计划在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。

此外，其还将对位于奥地利菲拉赫以及马来西亚居林的现有工厂进行8英寸改造。根据英飞凌的估计，这些基于SiC的投资将在2025年为英飞凌带来10亿欧元的年营收，而到了2030年，将带来70亿欧元的年营收，并且使得英飞凌占据全球30%的SiC份额。目前这一计划已经得到了客户的支持。

当前，英飞凌已经获得了包括50亿美元的新设计合同，并拿到了约10亿美元的预付款，其在汽车领域的客户有包括福特、上汽、奇瑞在内的六家车厂。在可再生能源领域，客户包括SolarEdge和其它三家中国光伏和储能企业。

英飞凌和施耐德电气还就产能预留达成一致，其中包括基于Si和SiC的功率电子产品的预付款。预付款项将为英飞凌未来几年的现金流做出积极贡献，并将最迟在 2030 年根据商定的销量全额偿还。另外，英飞凌还与Stellantis、富士康和VinFast合作，与德国供应商Vitesco签订了SiC半导体合作协议。

英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示:“SiC市场不仅在汽车领域，而且在太阳能、储能和大功率电动汽车(EV)充电等广泛的工业应用领域都呈现出加速增长的趋势。”“随着居林的扩张，我们将确保我们在这个市场的领导地位，”

他还表示，英飞凌的优势在于行业领先的规模和独特的成本地位，以及高超的SiC沟槽技术，最广泛的封装组合，和无与伦比的对应用理解的竞争地位，这些是英飞凌能够保持领先地位的重要原因。

扩产：SiC市场的主旋律

此前，化合物半导体统计了2023年上半年的SiC扩产项目，据化合物半导体市场粗略计算，上半年与SiC相关的扩产项目以及预期资本支出加起来总金额上千亿元（折合成人民币），扩产的内容主要围绕衬底、外延、器件，而应用的方向也大多数以电动汽车为主。而国际厂商是主力军。

从统计来看，包括意法半导体、Wolfspeed、三菱电机、罗姆、Soitec、安森美等众多多企业纷纷扩产，其中，意法半导体在1月宣布斥资40亿美元用于扩产12英寸晶圆和增加SiC制造能力，又在6月与三安光电合资成立8英寸SiC器件制造合资企业，建设总额预计约达32亿美元。Wolfspeed也计划在德国萨尔州及建设号称全球最大的8英寸SiC工厂。

在中国本土市场中，上半年扩产项目也达到了7起。

中车时代电气投资111.19亿元计划建设中低压功率器件产业化项目，包括在宜兴子项目（58.26亿元）、株洲子项目（52.93亿元）。

长飞先进也拟建设第三代半导体功率器件生产项目，建设内容包括外延、晶圆制造、封测等产线，建设完成后将形成6英寸SiC晶圆及外延36万片/年，功率器件模块6100万个/年。

比亚迪则计划斥资2亿元，在深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地建设SiC外延中试线量产项目，扩建后将新增SiC外延片产能6000片/年，总产能达18000片/年。（文：化合物半导体市场 Jump）

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