中科院微电子所黄森：Si基GaN功率器件制备技术与集成

宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”将于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、CASA人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。

期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，中国科学院微电子研究所研究员黄森带来《Si基GaN功率器件制备技术与集成》的主题报告，分享最新技术研究进展与成果。分享了相关研究进展及成果，研究基于超薄势垒AlGaN(<6nm)/GaN异质结构，实现了无需刻蚀AlGaN的本征增强型MIS-HEMT，器件具有高阈值(~2.7 V)、良好的阈值均匀性以及较低的关态漏电，突破了P-GaN增强型HEMT的阈值瓶颈；基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结构平台实现了E/D模n沟道MIS-HEMT，低开启电压功率二极管，以及高击穿电压p/n沟道增强型MOSFET，为全GaN功率和射频器件、数字/驱动电路的单片集成奠定了基础；Si基超薄势垒MIS-HEMT技术路线是未来GaN智能功率超越摩尔发展的良好选择。

CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，联合实力资源，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）