莱特葳芯半导体刘天奇：智能化高频高压氮化镓驱动技术研究进展

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”将于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、CASA人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。

期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，莱特葳芯半导体（无锡）有限公司CEO刘天奇将带来《智能化高频高压氮化镓驱动技术研究进展》的主题报告，分享最新技术研究成果。

氮化镓功率晶体管具备较低的输入/输出电容与导通电阻，大大降低了开关损耗，在高频、高压、高功率密度应用领域极具优势。在应用上，氮化镓高的开关速度不可避免的引入了强EMI干扰，对器件的稳定工作和长期可靠性提出了较大挑战。在几十到数百伏高电压大电流应用场景，高的dV/dt与di/dt将引起驱动芯片和功率晶体管的可靠性降低或控制失效。由于氮化镓功率晶体管的阈值电压相对较低，开关过程中的大幅度ringing极易引起功率管的误开启，产生额外的损耗甚至发生穿通。在半桥应用中，浮动节点的负压将引起自举电容的电压过冲，大大增加了氮化镓的栅极应力，影响器件的可靠性。

报告指出，近年来，针对氮化镓的应用，学术界与工业界相继提出了智能化的全集成自适应栅极驱动控制技术，不仅能够实现对dV/dt的定量调制，而且提出了针对驱动能力温度补偿、主动自举控制、死区时间自适应调制等大量创新技术，为高效率氮化镓的驱动技术指明了方向。随着数据中心、光伏逆变、车载电源、移动负载等对高能效电力变换需求的日益增长，智能化的氮化镓栅极驱动技术将推动氮化镓功率晶体管在高功率密度应用领域快速发展。

公开信息显示，莱特葳芯半导体（无锡）有限公司2022年成立，专注高压非隔离与隔离驱动芯片（HVIC）、Low-Side与High-Side驱动芯片、智能功率模块（IPM）、智能功率集成电路（SPIC）、直流无刷电机控制、电源与逆变器等技术产品的研发。此外，该公司可为不同类型功率晶体管匹配最佳驱动方案和控制方案，可打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驱动芯片，推动相关技术在新能源、汽车、家电、机器人、工业自动化等多领域的应用落地。2023年6月公司完成数千万天使轮融资，由无锡芯和投资、无锡市创投、无锡新投集团等联合投资。本轮融?首式鹬饕糜诟哐拐ぜ酒杓坪脱蟹ⅲǜ哐垢衾搿⒎歉衾肭际酰约暗亍⑻蓟璧鹊谌β拾氲继迩际酢?

CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，联合实力资源，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）