西安卫光科技李朴：600V超结MOSFET器件研究

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、CASA人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。

期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，西安卫光科技有限公司器件研究中心工程师李朴带来《600V超结MOSFET器件研究》的主题报告。详细分享了600V 超结MOSFET研究过程与成果。

随着功率半导体应用领域逐渐扩大，当应用在计算机和航空电子等领域中时，低导通压降能够缩小整机的冷却系统，从而降低整机尺寸和成本，所以用户对器件的导通电阻提出了更高的要求。而传统功率MOSFET中击穿电压与导通电阻的关系，始终被限制在了“硅限”2.5次方，难以克服。为了能突破发展瓶颈，“超结理论”应运而生，极大的推动了功率半导体的发展。基于超结理论的器件能够在保证击穿电压的同时，进一步提高N柱区掺杂浓度，从而减小通态电阻，将击穿电压与通态电阻的限制关系优化到1.3次方。

CASICON 系列活动简介

“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，联合实力资源，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。

（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）