三星第二季获利大减 95%，决心再减少记忆体产能

日前，南韩三星电子公布 2023 年第二季财报，其中半导体 (DS) 部门再次出现 4 兆韩圜（约 31.2 亿美元）的 亏损。因此，该公司决定，在 2023 年下半年进一步削减 DRAM 和 NAND Flash 记忆体产量。

根据南韩媒体报导指出，三星电子 7 月 27 日公布，第二季合并营收和营业利润分别为 60.01 兆韩圜和 6,700 亿韩圜。这数字与 2022 年同期相较，分别下降了 22% 和 95%。然而，与上一季相较，营业利润略有提升，使得市场预期整体的亏损状态逐渐减少中。

根据第二季财报显示，半导体部门第二季业绩略有改善，亏损从第一季的 4.58 兆韩圜缩小至 4.36 兆韩圜。相较之下，行动和消费电子部门的表现较为杰出，创造了 3.83 兆韩圜利获利。至于，三星显示器和哈曼 (Harman International Industries) 部门也有相对较好的业绩，获利分别为 8,400 亿还圜和 2,500 亿韩圜。

报导指出，针对记忆体减产想法，是三星在财报会议上所说的，计划在下半年继续下调产量，以加快库存正常化。其中，将对 DRAM 和 NAND Flash 进行更多的生产调整。特别是针对 NAND Flash 的大幅减产。该公司强调，额外的减产计划将在上一轮的减产计划上实施。对此，一些南韩半导体市场研究人员表示，新的减产策略预计将导致三星的记忆体产量比 2022 年减少最多 20%。另一家南韩记忆体大厂 SK 海力士此前也在财报会议上宣布，将针对 NAND Flash 产品再减产 5% 至 10%。

尽管前景充满挑战，三星仍对 2023 年下半年后的记忆体市场前景表示乐观。三星电子记忆体业务部门副总裁 Kim Jae-joon 表示，记忆体库存在 5 月份达到高峰，此后在各供应商调整库存的情况下库存水位开始下降。随着进一步的脚少产能，记忆体价格很有可能扭转趋势，并出现上涨的情况。

Kim Jae-joon 还进一步对高频宽记忆体 (HBM) 的成长动力充满信心。强调预计 2024 年对 HBM 的需求不断成长，该公司正准备确保产能，将比 2023 年至少增加一倍。此外，三星正在准备提高生产力，以满足 2023 年下半年的额外订单。