DDR5记忆体狂飙 单条1TB不是梦

随着制程的进步，DRAM记忆体晶片亦面临着CPU、GPU一样的微缩难题，解决办法即是上EUV曝光机，但是设备实在太贵，现在还要榨干DUV制程最后一滴，DDR5记忆体有望实现单条1TB。

身为第一家推出24Gb核心DDR5的记忆体公司，美光日前又创造了一项新纪录，推出了32Gb核心的DDR5记忆体颗粒，使用的是较前者1α制程更先进的1β制程，此亦为美光最后的非EUV制程了，再往后不上EUV也没招了。

美光并未透露32Gb核心记忆体颗粒的具体速度，但是此记忆体最大的优势即是可以堆叠出单条1TB的记忆体，只需要32个8-Hi堆叠即可，目前的24Gb核心还做不到这么高容量。

当然，美光实际上并不会推出这么大的记忆体，明年量产32Gb核心之后，首先是单条128GB，还有192GB、256GB，而512GB、1TB的尚不在规划蓝图上，2026年前都没戏。

另外，于HBM这条路上，美光刚推出了HBM3 Gen 2（这命名方式跟骁龙学的？），做到了24GB容量，频宽1.2TB/s。后续尚有36GB容量的，2026年之后则是下一代HBM（HBM4？），容量36-64GB，频宽1.5-2TB/s以上了。

于GDDR方面，2025年会推出GDDR7，时脉32Gbps，核心容量16-24Gb，频宽128GB/s以上。