英诺赛科与思锐智能签订ALD设备采购协议！
来源:化合物半导体市场发布时间:2023-07-271490浏览
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今日，思锐智能官微发布消息，英诺赛科与公司签订了一项新的ALD设备的采购协议，根据协议，思锐智能将为英诺赛科供应用于GaN晶圆制造前道工艺的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，支持其8英寸硅基GaN晶圆产线的扩充。01
英诺赛科深化GaN布局
英诺赛科8英寸晶圆产线于2019年开始大规模生产，2021年成为全球最大的8英寸硅基GaN量产的企业。其珠海基地GaN晶圆产能达到4000片/月，苏州基地产能达到6000片/月，合计供应超过全球50%以上GaN产能。基于英诺赛科的成本优势，在去年整体行情不好的情况下，公司的8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量依然突破1亿颗。
在终端应用上，手机充电器是GaN的最大应用场景，目前英诺赛科的GaN芯片已经用于三星，OPPO，VIVO，联想，雅迪，LG，安克，努比亚，倍思，绿联，闪极等数多家知名品牌和厂商。
在消费电子之外，英诺赛科也在积极扩展全新的领域。在电动汽车领域英诺赛科珠海工厂已通过汽车认证，预计将在2024年生产用于汽车应用的8英寸硅基GaN器件。英诺赛科也针对数据中心供电做了全面的布局，可以给客户提供全链路的GaN供电解决方案。
从业绩上来看，英诺赛科在2022年全年的业绩同比增长300%，今年第一季度出货量也突破5000万颗，销售额达到1.5亿，是去年同期的4倍。
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ALD技术在GaN领域的应用
薄膜沉积是半导体前道制造的核心工艺之一。一般需要使用不同的薄膜沉积技术如化学气相沉积 (CVD)、原子层沉积 (ALD) 和物理气相沉积(PVD)，来满足不同的需求。但在这几种沉积技术中，传统的物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积 (CVD)在精度、均匀性、成分控制、复杂结构制备等方面都存在一定的限制。
相比之下，原子层沉积 (ALD) 技术在精度、均匀性、成分控制和复杂结构制备方面的优势使其成为当今半导体制造和纳米技术领域的重要工具，为高性能和高可靠性的器件制造提供了关键支持。例如ALD薄膜可用于高质量的栅极介电叠层，有助于提升器件击穿电压、漏电抑制和阻水疏氧效果。
而GaN领域涉及到非常多ALD相关的应用，从栅极的介电层，到成核层，然后从侧壁的钝化层，到后面的封装里面都会有ALD的应用，有非常多的ALD应用场景。
思锐智能的Transform系列量产型ALD沉积镀膜设备，是公司近40年ALD技术积累的集大成者，支持配置多个ALD工艺模块，兼容热法及等离子体功能，可为应对不断增长的产能和新的应用而进行升级。
其ALD镀膜技术能够有效增强GaN器件的性能。首先，通过ALD薄膜可实现器件表面的钝化和覆盖；其次，通过氧化铝叠层实现栅极高K介电质的沉积；接下来，通过原位预处理去除自然氧化层，实现表面稳定；最后，通过高质量的ALD氮化铝来实现缓冲层，形成更具生产效益的量产方案。目前思锐智能的Transform系列已进入欧洲、北美、日本和中国大陆及台湾地区知名厂商，并实现重复订单。（文：化合物半导体市场 Jump整理）
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