南亚科10nm制程 DDR5 16Gb估明年中推出

中国台湾DRAM厂南亚科持续降低今年资本支出，今年估资本支出为150亿元，其中50%为生产设备，但在制程推进以及新产品开发上，今年持续推动第二世代、第三世代10奈米制程推进，另外，也加强开发DDR5产品，估16Gb产品明年中推出。

南亚科自今年3月起营收逐月成长，整体来看，DRAM价格已见底，销售量已有改善，营收有机会继续提升。

在资本支出的部分，南亚科今年资本支出由原先185亿元降至150亿元，其中生产设备资本支出约占50%。南亚科预估，下半年动态调整减产幅度约在2成内，全年的位元成长率年衰退约10%。

而在制程的推进上，南亚科今年的研发目标仍是第二世代的10奈米制程(1B)，目前已进入前导产品试产阶段，第三代10奈米1C则在研发测试中；而在新产品的开发上，则持续推动DDR5以及Low power DDR4产品推进，目前进度顺利，待验证后会逐步拉量，目前南亚科DDR5产品为8Gb，估DDR5 16Gb明年中会在市场上推动。