ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，

助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！

～通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%～

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理很难，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。在这种市场背景下，ROHM结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。

新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下简称“Si MOSFET”）。与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。

新产品已于2023年6月开始量产（样品价格4,000日元/个，不含税）。另外，新产品及对应的三款评估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已开始网售，在Ameya360等电商平台可购买。

＜产品阵容＞

新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），而且传输延迟短、启动时间快，因此支持一次侧电源中的各种控制器IC。

＜应用示例＞

适用于内置一次侧电源（AC-DC或PFC电路）的各种应用。

消费电子：白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调

工业设备：服务器、OA设备

＜电商销售信息＞

电商平台：Ameya360

产品和评估板在其他电商平台也将逐步发售。

（开始销售时间：2023年7月起）

•产品信息

产品型号：

BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB

・评估板信息

评估板型号：

BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003

＜什么是EcoGaN™＞

EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

＜术语解说＞

*1) 一次侧电源

在工业设备和消费电子等设备中，会通过变压器等对电源和输出单元进行隔离，以确保应用产品的安全性。在隔离部位的两侧，电源侧称为“一次侧（初级）”，输出侧称为“二次侧（次级）”，一次侧的电源部位称为“一次侧电源”。

*2) GaN HEMT

GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。

*3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐压和输出电流方面表现更出色，在处理大功率时损耗更小。