为降低DRAM能耗，三星与SK海力士正开发新技术

来源:芯智讯发布时间:2023-07-141060浏览

随著生成式人工智能技术应用的发展，训练模型现阶段也大幅增加，这使得包括 HBM 和 DDR5 等内存芯片在高性能计算当中所扮演的角色也日趋重要，但也使得内存芯片能耗问题也开始凸显。

根据韩国媒体 Chosun Biz 的报导，韩国三星和 SK 海力士两大存储芯制造商正在与学术界展开合作投资于下一代技术，以降低存储芯片的能耗，以提升高性能计算的效率。

根据统计，DRAM 目前占以NVIDIA A100 GPU 为主的数据中心平台总耗能的约 40%。未来，随著层数的增加，其 HBM 内存的能耗也会持续增加。

对此，韩国首尔大学推出了 DRAM Translation Layer 技术，声称可以将 DRAM 的功耗降低 31.6%，这也引来三星对此技术青睐。

目前，三星正在与首尔大学进行相关合作，以进一步降内存功耗。当前所采取的是 Compute Express Link 的技术，进一步开发了采用 12nm 制程技术的 16GB DDR5 DRAM。而该型产品与上一代相较，能耗降低了 23%。

除了三星之外，韩国另一家内存芯片大厂SK 海力士则是推出了 LPDDR5X，将 High-K 金属栅极（HKMG）制程技术应用于移动 DRAM上。因为 High-K 材料的介电常数比传统 SiON 绝缘膜高约 5 倍，可以在相同面积和厚度下储存 5 倍的电荷，并帮助减少电流外泄。如此在控制外泄电流的基础上，SK海力士的 LPDDR5X 不但在传输速度上提高了 33%，功耗也比上一代产品降低了 20% 以上。

根据市场人士的回应，指出随着训练模型对内存厂商提出进一步的技术更新要求，厂商们当下也纷纷展开彼此之间的竞争，如此预计将使得内存成本获得一定幅度下降，这也是德消费者也能从中获得利益。

编辑：芯智讯-林子来源：technews

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