DRAM跌幅收敛 华邦电获外资捧上月

中国台湾华邦电今年第三季各类应用市场需求将可望较第二季进一步回温，需求可望逐季回升，带动华邦电稼动率，而受到记忆体价格筑底时间较预期长，短期亏损压力仍大，不过今年第三季可望将收敛Consumer DRAM均价跌幅至0~5%。华邦电也持续计划往更高阶制程转进，且每一个产品线要在一线客户的渗透率拉高，有助后续产品单价以及获利表现。

外资连3日买超，华邦电周四收红，站稳29元关卡、月线，持续挑战前高29.7元。

华邦电今年第二季受到PC急单逐月增温，相较于首季低点约有20~30%增幅，虽然下游客户库存逐渐恢复正常，但有部分长短料调节，华邦电今年第二季营收为188.11亿元，季增7.39%、年减29.40%；若扣除子公司新唐(4919)，记忆体本业营收约达98.58亿元，季增15.16%，符合内部预期。产能利用率的部分，因应需求回升，中科厂第二季稼动率已回到70-80%，公司期望今年第三季稼动率站稳80%。

随终端客户第三季进入传统备货需求，各类应用市场将可望较第二季进一步回温，除PC带来库存回补的动能，近期TV面板报价回升，显示驱动IC(DDI)需求渐热，带动记忆体搭载量增加。网通产品虽然上半年需求较低迷，但也预估在今年第四季库存回补需求发酵，出货动能有望延续成长。

价格方面，目前观察Consumer DRAM交易仍冷清，同时SK Hynix延长无锡厂DDR3及DDR4 4Gb供应，产能将陆续开出；华邦电也进入量产阶段，后续投片将逐季增加，故Consumer DRAM市场仍供过于求。不过，由于原厂已陆续减产，实际效应会发生在今年第三季，加上原厂亏损严重，此今年第三季将收敛Consumer DRAM均价跌幅至0~5%。

华邦电2023年资本支出预估为121亿元，年减70.34%，大部分用于高雄厂建厂及提升制程品质、新制程研发等支出。折旧费用部份，台中厂因为折旧到期，但高雄新厂产能开出，一增一减下，2023年折旧费用预估年增加10%。华邦电规画，高雄路竹厂20nm产品可望今年第四季量产，预期2023年底到明年第一季时，高雄厂月产能可达14K片。

虽然景气不佳，华邦电持续计划往更高阶制程转进，且每一个产品线要在一线客户的渗透率拉高，有助产品单价以及获利表现。DRAM产品部份，25S nm技术为2023年的重点，Flash则是转为46nm，持续优化产品组合与客户组成，提升毛利率。长期来看，穿载装置、网通 WiFi6/7、物联网、车用、远端应用、工业加速数位转型及美国启动基建，都将搭载更多容量的利基型DRAM及NOR/NAND Flash。惟在各记忆体厂减产下，报价都尚未止稳，价格筑底时间较预期长，短期亏损压力仍大。