应材强化异质整合优势 推出新先进封装解决方案

应材 (AMAT-US) 今 (13) 日宣布推出材料、技术新系统，将助晶片制造商运用混合键合、矽穿孔技术将小晶片整合至先进 2.5D、3D 封装，扩大应材在异质整合 (HI) 领域领先业界的技术范畴。

应材表示，异质整合帮助半导体业者将各种功能、技术节点和尺寸的小晶片结合到先进封装中，使组合后的整体能作为单一产品的形式来运作，将有助解决产业的挑战。

应材指出，由于高效能运算、AI 等应用对电晶体需求指数级成长，传统 2D 微缩速度趋缓且变得昂贵，异质整合使晶片商能以新方式改善晶片的功率、效能、单位面积成本与上市时间 (PPACt)。

应材是异质整合技术最大供应商，提供优化晶片制造系统，包括蚀刻 (ETCH)、物理气相沉积 (PVD)、化学气相沉积 (CVD)、电镀 (ECD)、化学机械研磨 (CMP)、退火与表面处理。

应材半导体事业群副总 Sundar Ramamurthy 表示，异质整合技术正快速发展，最新解决方案推动产业新技术，可在 2.5D、3D 结构中封装更多电晶体、导线。

应材表示，此次新方案包含 Insepra SiCN 沉积系统、Catalyst CMP，以及矽穿孔技术的 Producer InVia 2 CVD、Endura Ventura 2 PVD、Producer Avila PECVD。